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中新網(wǎng)北京5月26日電(左登基)華為日前正式發(fā)表半導體領(lǐng)域“韜(τ)定律”。這是中國在全球半導體領(lǐng)域首次提出指導產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新原則。專家表示，這一新范式將中國半導體競爭拓展為“制程追趕+系統(tǒng)創(chuàng)新”的雙賽道。

“韜定律”提出以“時間縮微”替代“幾何縮微”，以系統(tǒng)性降低時間常數(shù)(韜τ)為目標，通過邏輯折疊等創(chuàng)新技術(shù)，持續(xù)壓縮信號傳播時延，不斷提升晶體管密度，實現(xiàn)半導體與電子系統(tǒng)的持續(xù)演進。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲表示，華為韜定律將產(chǎn)業(yè)演進核心，從縮小晶體管尺寸轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級封裝、半導體新材料、光電融合、異質(zhì)異構(gòu)等技術(shù)路線。這一新范式顛覆了長期由西方主導的單純“制程競賽”思路，將中國半導體競爭從單一的“制程追趕”賽道，拓展為“制程追趕+系統(tǒng)創(chuàng)新”的雙賽道。

分析這一變化的原因，吳玲認為，一是先進制程方面受限，短時間內(nèi)很難追趕，需要換道；二是受人工智能等需求帶動，中國在應用場景方面形成優(yōu)勢，通過化合物半導體性能提升疊加封裝系統(tǒng)集成，實現(xiàn)技術(shù)路線突破。

“韜定律”構(gòu)建了貫穿器件、電路、芯片到系統(tǒng)層面的多層級協(xié)同優(yōu)化體系。預計到2031年，基于該定律的高端芯片晶體管密度將達到1.4納米制程的同等水平。

展望未來趨勢，吳玲認為，以寬禁帶為代表的化合物半導體，在光互連、先進封裝、高性能器件等多個領(lǐng)域扮演著不可替代的角色。隨著硅基邏輯制程競賽邊際效益遞減，化合物半導體在突破性能瓶頸中的價值凸顯，有望成為新價值鏈的主導者。

《第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告(2025)》顯示，當前，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)正處于從技術(shù)突破向產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先加速邁進的關(guān)鍵階段，未來5年-10年有望實現(xiàn)全球引領(lǐng)，形成半導體領(lǐng)域的優(yōu)勢長板。